DMNH6008SCTQ

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Specifiche

Modello di prodotti

DMNH6008SCTQ
Costruttore / Marca

Diodes Incorporated
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS conforme
Specifiche

DMNH6008SCTQ.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220AB
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (max) a Id, Vgs

8 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

210W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

DMNH6008SCTQ-ND
DMNH6008SCTQDI
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2596pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 130A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

130A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Descrizione: MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI

Produttori: Diodes Incorporated

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