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DMN2005LP4K-7

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Specifiche

Modello di prodotti

DMN2005LP4K-7
Costruttore / Marca

Diodes Incorporated
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

DMN2005LP4K-7.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

900mV @ 100µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

X2-DFN1006-3
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Dissipazione di potenza (max)

400mW (Ta)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

3-XFDFN
Altri nomi

DMN2005LP4KDICT
temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

20 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

41pF @ 3V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

N-Channel 20V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

200mA (Ta)

Notizie correlate
spedizione
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DMN2005LPK-7

Descrizione:

Produttori: Diodes Incorporated

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