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Specifiche

Modello di prodotti

2DB1132R-13
Costruttore / Marca

Diodes Incorporated
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

2DB1132R-13.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

32V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA
Tipo transistor

PNP
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-89-3
Serie

-
Potenza - Max

1W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-243AA
Altri nomi

2DB1132R13
2DB1132RDITR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

190MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor PNP 32V 1A 190MHz 1W Surface Mount SOT-89-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 100mA, 3V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

1A
Numero di parte base

2DB1132

Notizie correlate
spedizione
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Descrizione: CAP CER RAD 15NF 25V C0G 5%

Produttori: KEMET

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Review (1)

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20/05/2025

5.0

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