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Specifiche

Modello di prodotti

C3M0065090J
Costruttore / Marca

Cree LED
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

C3M0065090J.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.1V @ 5mA
Vgs (Max)

+19V, -8V
Tecnologia

SiCFET (Silicon Carbide)
Contenitore dispositivo fornitore

D2PAK-7
Serie

C3M™
Rds On (max) a Id, Vgs

78 mOhm @ 20A, 15V
Dissipazione di potenza (max)

113W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

52 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 600V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 15V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

15V
Tensione drain-source (Vdss)

900V
Descrizione dettagliata

N-Channel 900V 35A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "C3M0065090J".

C3M0065100J-TR

Descrizione: 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET

Produttori: Cree Wolfspeed

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