ALD212900ASAL

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Specifiche

Modello di prodotti

ALD212900ASAL
Costruttore / Marca

Advanced Linear Devices, Inc.
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

ALD212900ASAL.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

10mV @ 20µA
Contenitore dispositivo fornitore

8-SOIC
Serie

EPAD®, Zero Threshold™
Rds On (max) a Id, Vgs

14 Ohm
Potenza - Max

500mW
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi

1014-1211
temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

8 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

-
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

10.6V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

80mA

Notizie correlate
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ALD212908APAL

Descrizione: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

Produttori: Advanced Linear Devices, Inc.

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