NTMFS4922NET1G

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Specifiche

Modello di prodotti

NTMFS4922NET1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 147A SO8-FL
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTMFS4922NET1G.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

2 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

930mW (Ta), 69.44W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN, 5 Leads
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5505pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

76.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 17.1A (Ta), 147A (Tc) 930mW (Ta), 69.44W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

17.1A (Ta), 147A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "NTMFS4922NET1G".

NTMFS4926NT3G

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 44A SO-8FL

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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