IRFU220_R4941

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Specifiche

Modello di prodotti

IRFU220_R4941
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

IRFU220_R4941.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-251AA
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

800 mOhm @ 2.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi

IRFU220_R4941-ND
IRFU220FS
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

200V
Descrizione dettagliata

N-Channel 200V 4.6A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

4.6A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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IRFU214BTU_FP001

Descrizione: MOSFET N-CH 250V 2.2A IPAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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