F1T7G A0G

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Specifiche

Modello di prodotti

F1T7G A0G
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 1A TS-1
Stato Lead senza piombo / RoHS
Specifiche

1.F1T7G A0G.pdf
2.F1T7G A0G.pdf
Modello ECAD
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

1.3 V @ 1 A
Tensione - inversa (Vr) (max)

1000 V
Tecnologia

Standard
Contenitore dispositivo fornitore

TS-1
Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

500 ns
Stato del prodotto

Active
Contenitore / involucro

T-18, Axial
Temperatura di funzionamento - Giunzione

-55°C ~ 150°C
Tipo montaggio

Through Hole
Corrente - Dispersione inversa a Vr

5 µA @ 1000 V
Corrente - raddrizzata media (Io)

1A
Capacità a Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Notizie correlate
spedizione
Metodi di pagamento

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Stal***e

20/05/2025

5.0

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